CJAC13TH06 CJ(江苏长电/长晶) CJAC13TH06采用屏蔽栅沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供优异的RDS,它可以用于各种各样的应用。
JMSL0620AUE JJW(捷捷微) 低导通电阻
IRL2703S IRF N channel power MOSFET(N沟道MOS型场效应晶体管)
IRF3706S IRF N channel power MOSFET(N沟道MOS型场效应晶体管)
FDB7030L Fairchild Semiconductor N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor(N沟道增强型场效应晶体管)
2N7002 Fairchild Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N沟道增强型场效应晶体管)
MW6S010GNR1 Freescale Semiconductor RF Power Field Effect Transistors,N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
2N5246 ON N-Channel RF Amplifier
2N6849 IR P沟道MOSFET
JANTX2N6849 IR P-Channel power MOSFET

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